HJT光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)是(shi)一種(zhong)高(gao)(gao)(gao)效的(de)(de)(de)(de)(de)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)(dian)(dian)(dian)池技術，其工作原理基(ji)于(yu)PN結(jie)和(he)(he)金屬(shu)-絕緣體-半導體（MIS）結(jie)構的(de)(de)(de)(de)(de)組合。HJT光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池由p型硅、n型硅和(he)(he)一層(ceng)透(tou)明導電(dian)(dian)(dian)(dian)氧化(hua)物（TCO）組成(cheng)。在(zai)(zai)太陽(yang)(yang)光(guang)(guang)(guang)照射下(xia)，光(guang)(guang)(guang)子被(bei)吸收并激發了電(dian)(dian)(dian)(dian)子，使其從價帶躍遷到導帶，形(xing)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)子-空穴對(dui)。電(dian)(dian)(dian)(dian)子和(he)(he)空穴在(zai)(zai)PN結(jie)中被(bei)分離，電(dian)(dian)(dian)(dian)子向n型硅移動，空穴向p型硅移動，形(xing)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)勢差。這個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)勢差可(ke)(ke)以被(bei)外部電(dian)(dian)(dian)(dian)路連接，從而(er)(er)產生電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。HJT光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)(gao)效率(lv)主要來自于(yu)其MIS結(jie)構。在(zai)(zai)MIS結(jie)構中，金屬(shu)層(ceng)和(he)(he)p型硅之間有一層(ceng)絕緣體，這可(ke)(ke)以減少表面缺陷和(he)(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)子-空穴對(dui)的(de)(de)(de)(de)(de)復合。此外，MIS結(jie)構還可(ke)(ke)以增加電(dian)(dian)(dian)(dian)荷載流(liu)子的(de)(de)(de)(de)(de)收集效率(lv)，從而(er)(er)提(ti)高(gao)(gao)(gao)電(dian)(dian)(dian)(dian)池的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)(dian)轉換(huan)效率(lv)。總之，HJT光(guang)(guang)(guang)伏(fu)(fu)(fu)電(dian)(dian)(dian)(dian)池通過將太陽(yang)(yang)能(neng)轉化(hua)為電(dian)(dian)(dian)(dian)能(neng)，為可(ke)(ke)再(zai)生能(neng)源的(de)(de)(de)(de)(de)利用(yong)提(ti)供了一種(zhong)高(gao)(gao)(gao)效、可(ke)(ke)靠的(de)(de)(de)(de)(de)技術。HJT電(dian)(dian)(dian)(dian)池是(shi)一種(zhong)高(gao)(gao)(gao)效、可(ke)(ke)靠、環保(bao)的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)源轉換(huan)技術，具有廣泛的(de)(de)(de)(de)(de)應用(yong)前景(jing)和(he)(he)市場前景(jing)。成(cheng)都0bbHJT金屬(shu)化(hua)設備

HJT電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)長期性(xing)(xing)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)表現良(liang)好。HJT電(dian)池(chi)采(cai)用(yong)了(le)(le)高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)HJT技(ji)術(shu)，其具(ju)有(you)高(gao)(gao)轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)、低溫(wen)系數(shu)、高(gao)(gao)穩定(ding)性(xing)(xing)等(deng)優(you)點(dian)。這些特點(dian)使(shi)得(de)HJT電(dian)池(chi)在(zai)長期使(shi)用(yong)過程(cheng)中(zhong)(zhong)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)保(bao)持(chi)(chi)較(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)量轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)，同時也能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)保(bao)持(chi)(chi)較(jiao)(jiao)(jiao)低的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)量損失率(lv)。此外，HJT電(dian)池(chi)還具(ju)有(you)較(jiao)(jiao)(jiao)長的(de)(de)(de)(de)(de)使(shi)用(yong)壽命，能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)在(zai)高(gao)(gao)溫(wen)、低溫(wen)等(deng)惡劣(lie)環境下正常工作，因(yin)此在(zai)實際(ji)應(ying)用(yong)中(zhong)(zhong)具(ju)有(you)很(hen)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)可靠(kao)性(xing)(xing)。HJT電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)長期性(xing)(xing)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)還受到(dao)其制造(zao)工藝(yi)(yi)和材(cai)料的(de)(de)(de)(de)(de)影響。HJT電(dian)池(chi)采(cai)用(yong)了(le)(le)高(gao)(gao)質量的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)材(cai)料和優(you)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)制造(zao)工藝(yi)(yi)，能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)保(bao)證電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)穩定(ding)性(xing)(xing)和可靠(kao)性(xing)(xing)。此外，HJT電(dian)池(chi)還具(ju)有(you)較(jiao)(jiao)(jiao)低的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)衰減率(lv)，能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)在(zai)長期使(shi)用(yong)過程(cheng)中(zhong)(zhong)保(bao)持(chi)(chi)較(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)電(dian)轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)。總之，HJT電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)長期性(xing)(xing)能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)表現良(liang)好，具(ju)有(you)高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)、穩定(ding)、可靠(kao)等(deng)優(you)點(dian)，能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)滿足各種應(ying)用(yong)場(chang)景的(de)(de)(de)(de)(de)需求(qiu)。鄭州雙面(mian)微晶HJT設備供應(ying)商HJT技(ji)術(shu)采(cai)用(yong)了(le)(le)高(gao)(gao)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)多晶硅(gui)材(cai)料，能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)提高(gao)(gao)太陽能(neng)(neng)(neng)(neng)(neng)電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)轉換(huan)效(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)率(lv)。

HJT電池(chi)生(sheng)產設備，制(zhi)(zhi)絨(rong)清洗的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)主要目的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)有，1去除硅(gui)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)污染和(he)損(sun)傷層(ceng)；2利用KOH腐(fu)蝕(shi)液(ye)對n型硅(gui)片(pian)進(jin)行各項異性腐(fu)蝕(shi)，將(jiang)Si（100）晶面(mian)(mian)腐(fu)蝕(shi)為(wei)Si（111）晶面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)四(si)方(fang)(fang)椎體結(jie)(jie)構(gou)（“金(jin)(jin)字塔結(jie)(jie)構(gou)”），即在(zai)硅(gui)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形成(cheng)絨(rong)面(mian)(mian)，可(ke)將(jiang)硅(gui)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)反(fan)射率降低(di)至(zhi)12.5%以下，從而(er)產生(sheng)更多(duo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)光生(sheng)載流(liu)子(zi)；3形成(cheng)潔凈(jing)硅(gui)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)，由于(yu)HJT電池(chi)中硅(gui)片(pian)襯底表(biao)(biao)面(mian)(mian)直接為(wei)異質結(jie)(jie)界(jie)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)部分(fen)，避免不潔凈(jing)引進(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)缺陷(xian)和(he)雜質而(er)帶(dai)來的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)(jie)界(jie)面(mian)(mian)處載流(liu)子(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)復合(he)。堿溶液(ye)濃度(du)(du)較(jiao)低(di)時，單(dan)晶硅(gui)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(100)與(111)晶面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)腐(fu)蝕(shi)速度(du)(du)差別比較(jiao)明顯，速度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)比值被稱為(wei)各向異性因(yin)子(zi)(anisotropicfactorAF)；因(yin)此改變堿溶液(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃度(du)(du)及溫度(du)(du)，可(ke)以有效地改變AF，使(shi)得在(zai)不同方(fang)(fang)向上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)速度(du)(du)不同，在(zai)硅(gui)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形成(cheng)密集分(fen)布的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)“金(jin)(jin)字塔”結(jie)(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)減反(fan)射絨(rong)面(mian)(mian)；在(zai)制(zhi)(zhi)絨(rong)工序，絨(rong)面(mian)(mian)大(da)小(xiao)為(wei)主要指標，一(yi)般可(ke)通過添加劑的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)選(xuan)擇(ze)、工藝配比的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)變化、工藝溫度(du)(du)及工藝時間等來進(jin)行調節控制(zhi)(zhi)。

降(jiang)(jiang)低HJT光伏電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)成(cheng)本(ben)可以從(cong)(cong)以下(xia)幾(ji)個(ge)方面入手(shou)：1.提(ti)(ti)高(gao)生(sheng)產(chan)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)：采(cai)用自動化(hua)生(sheng)產(chan)線(xian)、優化(hua)生(sheng)產(chan)工藝(yi)、提(ti)(ti)高(gao)設(she)備利用率(lv)(lv)(lv)等(deng)(deng)方式(shi)，降(jiang)(jiang)低生(sheng)產(chan)成(cheng)本(ben)。2.降(jiang)(jiang)低材(cai)(cai)料(liao)成(cheng)本(ben)：通(tong)(tong)過優化(hua)材(cai)(cai)料(liao)配比、采(cai)用更便宜的(de)(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)、降(jiang)(jiang)低材(cai)(cai)料(liao)浪費等(deng)(deng)方式(shi)，降(jiang)(jiang)低材(cai)(cai)料(liao)成(cheng)本(ben)。3.提(ti)(ti)高(gao)光電(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)(lv)(lv)：通(tong)(tong)過研發(fa)新的(de)(de)(de)材(cai)(cai)料(liao)、優化(hua)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)結(jie)構、提(ti)(ti)高(gao)光電(dian)(dian)(dian)轉(zhuan)換效(xiao)率(lv)(lv)(lv)等(deng)(deng)方式(shi)，提(ti)(ti)高(gao)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)發(fa)電(dian)(dian)(dian)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)，從(cong)(cong)而(er)降(jiang)(jiang)低發(fa)電(dian)(dian)(dian)成(cheng)本(ben)。4.提(ti)(ti)高(gao)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)壽命(ming)：通(tong)(tong)過優化(hua)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)結(jie)構、提(ti)(ti)高(gao)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)穩(wen)定性(xing)和耐久(jiu)性(xing)等(deng)(deng)方式(shi)，延長電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)(de)使用壽命(ming)，從(cong)(cong)而(er)降(jiang)(jiang)低更換成(cheng)本(ben)。5.加強(qiang)產(chan)業鏈(lian)合作(zuo)：加強(qiang)產(chan)業鏈(lian)上下(xia)游的(de)(de)(de)合作(zuo)，實現資源(yuan)共享、優化(hua)供(gong)應鏈(lian)、降(jiang)(jiang)低物流(liu)成(cheng)本(ben)等(deng)(deng)，從(cong)(cong)而(er)降(jiang)(jiang)低整個(ge)產(chan)業的(de)(de)(de)成(cheng)本(ben)。HJT電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)在未來的(de)(de)(de)能源(yuan)結(jie)構中具(ju)有(you)重要(yao)地位，有(you)望成(cheng)為主流(liu)的(de)(de)(de)能源(yuan)轉(zhuan)換技術之一(yi)。

HJT異質結（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）電池(chi)(chi)為(wei)對稱的(de)雙(shuang)面結構，主要由 N 型單晶(jing)(jing)硅(gui)片襯(chen)底、正面和背(bei)面的(de)本(ben)征(zheng)/摻(chan)(chan)雜(za)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜層（包括 N 型非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜 n-a-Si:H、本(ben)征(zheng)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)薄膜 p-a-Si:H）、雙(shuang)面的(de)透(tou)明導電氧化(hua)薄膜(TCO) 層和金屬電極構成(cheng)(cheng)。其(qi)中，本(ben)征(zheng)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)層起(qi)到(dao)表面鈍化(hua)作(zuo)用，P型摻(chan)(chan)雜(za)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)層為(wei)發(fa)射層，N 型摻(chan)(chan)雜(za)非(fei)晶(jing)(jing)硅(gui)層起(qi)到(dao)背(bei)場(chang)作(zuo)用。HJT是(shi)很(hen)有潛力(li)優勢的(de)技(ji)(ji)術，在將來HJT電池(chi)(chi)與鈣鈦礦(kuang)技(ji)(ji)術進行復合(he)疊(die)層，突破轉(zhuan)換(huan)效率(lv)30%成(cheng)(cheng)為(wei)可(ke)能。光(guang)伏HJT電池(chi)(chi)的(de)生產成(cheng)(cheng)本(ben)較高，但隨著技(ji)(ji)術的(de)發(fa)展，其(qi)成(cheng)(cheng)本(ben)正在逐漸降低。江蘇HJT無銀

HJT電(dian)池(chi)的(de)制造過程(cheng)采(cai)用先進的(de)工藝和設備，可(ke)以實(shi)現高度自動化的(de)生產(chan)，提(ti)高生產(chan)效率并降低成(cheng)本。成(cheng)都0bbHJT金(jin)屬化設備

HJT電池所有(you)制程(cheng)的(de)(de)加工(gong)溫(wen)度均低(di)于250，避免了生產(chan)(chan)效(xiao)率低(di)而(er)成本高的(de)(de)高溫(wen)擴散制結(jie)的(de)(de)過程(cheng)，而(er)且低(di)溫(wen)工(gong)藝使得a-Si薄膜的(de)(de)光(guang)學(xue)帶隙、沉(chen)積速率、吸收系(xi)數(shu)以及氫含量得到(dao)較精確(que)的(de)(de)控制，也(ye)可避免因高溫(wen)導致的(de)(de)熱應力等不良影響。釜川（無錫(xi)）智能科技有(you)限公司，以半導體生產(chan)(chan)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、太陽能電池生產(chan)(chan)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)為(wei)主要產(chan)(chan)品，打造光(guang)伏(fu)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)一體化服務。擁有(you)強大的(de)(de)科研團隊，憑借技術競爭(zheng)力，在清洗制絨設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、PECVD設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、PVD設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、電鍍銅(tong)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)等方面都有(you)獨特優勢；以高效(xiao)加工(gong)制造、快(kuai)速終端交付的(de)(de)能力，為(wei)客戶提供整線工(gong)藝設(she)(she)(she)備(bei)(bei)的(de)(de)交付服務。成都0bbHJT金屬化設(she)(she)(she)備(bei)(bei)

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